例1:待測(cè)器件經(jīng)過(guò)1，000小時(shí)溫度循環(huán)試驗(yàn)后測(cè)試結(jié)果顯示電性為開(kāi)路狀態(tài)。通過(guò)不良品分析實(shí)驗(yàn)，剝離器件外部塑封膠后發(fā)現(xiàn)晶片與框架焊接過(guò)程中所使用銀漿在與晶片背面的焊接區(qū)域出現(xiàn)斷裂狀態(tài)(圖1)。通常半導(dǎo)體器件焊接所使用的銀漿的成分為錫/銀/銅，晶片的基材為硅。焊接過(guò)程中焊接溫度的設(shè)定，銀漿量的控制，晶片的柔片次數(shù)，塑封膠注人的壓力等都會(huì)對(duì)產(chǎn)品的終可靠性造成影響。當(dāng)器件處于極端溫度變差及輸入偏壓開(kāi)關(guān)模式下，器件在薄弱的不同介質(zhì)結(jié)合面會(huì)出現(xiàn)開(kāi)路狀況，從而造成器件整體功能或電路模塊的失效。如果各種材料在高低溫下通過(guò)各自的膨脹系數(shù)所產(chǎn)生的應(yīng)力沒(méi)有通過(guò)結(jié)合面之間的綬沖結(jié)構(gòu)得到釋放，這種影響可能會(huì)通過(guò)銀漿的結(jié)合面將應(yīng)力傳導(dǎo)到器件為脆弱的晶片內(nèi)部，造成芯片內(nèi)部的物理?yè)p傷，隨著實(shí)驗(yàn)時(shí)間的集聚，終造成電性的不良，嚴(yán)重的情況下會(huì)顯示出晶片的斷裂或燒毀。