半導體高溫儲存試驗測試標準
作者：
網(wǎng)絡(luò)
編輯：
瑞凱儀器
來源：
網(wǎng)絡(luò)
發(fā)布日期： 2020.06.11
國際標準分類中，半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件。
在中國標準分類中，半導體高溫儲存試驗涉及到半導體分立器件綜合、電力半導體器件、部件。
國際電工委員會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2017 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
IEC 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
韓國標準，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
KS C IEC 60749-6-2004 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
德國標準化學會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
DIN EN 60749-6-2003 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存
法國標準化協(xié)會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
NF C96-022-6-2002
半導體裝置.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存
英國標準學會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
BS EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.高溫下儲存
歐洲電工標準化委員會，關(guān)于半導體 高溫儲存試驗的標準
EN 60749-6-2002 半導體器件.機械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002
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