近幾年來，本實(shí)驗(yàn)室連續(xù)開展了大規(guī)模集成電路的新品檢測(cè)工作，如偵察運(yùn)算電路、BCH編譯碼器、CRT地址產(chǎn)生電路及接口電路等，基本上都是規(guī)模較大的CMOS電路，對(duì)靜電敏感，工作速度較快。在高、低溫電性能測(cè)試中成功地采用了該集成電路高、低溫電性能測(cè)試系統(tǒng)，積累了一些有益的經(jīng)驗(yàn)。通過實(shí)際應(yīng)用發(fā)現(xiàn)，必須注意以下一些具體的環(huán)節(jié)，如測(cè)試板的隔離、防潮，被測(cè)器件的靜電保護(hù)，被測(cè)器件芯片溫度的確定等問題，才能快速、準(zhǔn)確地完成CMOS VLSI的高、低溫電性能測(cè)試。

    在用該高、低溫測(cè)試系統(tǒng)做溫度測(cè)試時(shí)，系統(tǒng)有溫度傳感器叮測(cè)到器件底部的溫度，雖然氣流是重直于DUT表面而下，但DUT的底部還是屬于器件表面，如何確定DUT芯片溫度的建立時(shí)間，是個(gè)比較復(fù)雜的問題。因?yàn)镈UT芯片溫度的建立時(shí)間受很多因系的影響，如DUT的材料、形狀尺寸，溫度以及氣體流量的大小等因素的影響。不同的器件芯片溫度的建立時(shí)間是不一樣的，溫度建立時(shí)間是指系統(tǒng)變溫( 升溫獲降溫)開始，到建立新的熱平衡，即被測(cè)器件芯片溫度達(dá)到設(shè)定值這一段時(shí)間。某公司給出了1000Ω電阻溫度探測(cè)器(RTD)的溫度建立時(shí)間曲線，如圖3所示。圖3表明不同的RTD其溫度建立時(shí)間是不同的。

    DUT芯片溫度的建立時(shí)間對(duì)于高、低溫測(cè)試是非常重要的指標(biāo)，只有在大于建立時(shí)間的時(shí)間段內(nèi)測(cè)試，測(cè)試的數(shù)據(jù)才能真正地反映設(shè)定溫度點(diǎn)的性能及具有重復(fù)性。對(duì)于復(fù)雜的大規(guī)模集成電路，我們采取在開始高、低溫測(cè)試前，通過反復(fù)試驗(yàn)，確定被測(cè)器件芯片溫度的建立時(shí)間。在熱流系統(tǒng)顯示達(dá)到設(shè)定溫度開始，對(duì)被測(cè)器件進(jìn)行多次電參數(shù)測(cè)試，當(dāng)其電參數(shù)趨于穩(wěn)定并具有可重復(fù)性時(shí)，將這段時(shí)間確定為DUT芯片溫度的建立時(shí)間。經(jīng)過反復(fù)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，系統(tǒng)的溫度傳感器測(cè)得的被測(cè)器件底部溫度與芯片溫度基本一致。