我國(guó)大多數(shù)裝備電子產(chǎn)品的研制周期較長(zhǎng)，且產(chǎn)品使用后還需要維修，而元器件(尤其是進(jìn)口元器件)更新?lián)Q代是比較快的，往往裝備在研制過程中，某些進(jìn)口元器件已不生產(chǎn)，或定型后使用需要維修時(shí)，有些元器件已經(jīng)“斷檔”。為了解決這一矛盾，通常在采購(gòu)時(shí)留有足夠的余量，以解決裝備研制的需要；而且元器件訂貨量大，單價(jià)相對(duì)來說就低，也有利于節(jié)約費(fèi)用。作為元器件的采購(gòu)方和使用方普遍采取“一次采購(gòu)、多次使用”的方式，這不僅能取得一定的經(jīng)濟(jì)效益，也有利于保證裝備產(chǎn)品的研制進(jìn)度。而另一方面，元器件生產(chǎn)廠家也希望“一次技產(chǎn)、多次供貨”以降低生產(chǎn)成本。但“一次訂貨，多次使用”或“一次投產(chǎn)、多次供貨”主要取決于元器件允許長(zhǎng)期儲(chǔ)存的期限，以及超過了規(guī)定的儲(chǔ)存期限后，需要通過必要的檢測(cè)，才能驗(yàn)證元器件的質(zhì)量與可靠性仍能滿足裝備研制的要求。

    元器件的儲(chǔ)存可靠性以及儲(chǔ)存期的長(zhǎng)短主要與下列因素有關(guān)： 
    (1)由設(shè)計(jì)、工藝和原材料決定的元器件固有質(zhì)量狀況。
    (2)元器件儲(chǔ)存的環(huán)境條件。
    (3)元器件的不同類別。
    (4)裝備的可靠性要求。
    元器件儲(chǔ)存環(huán)境
    多數(shù)元器件的總規(guī)范和詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定了元器件的儲(chǔ)存環(huán)境，SJ331《半導(dǎo)體集成電路總技術(shù)條件》規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路儲(chǔ)存的溫度范圍為-10℃～40℃，相對(duì)濕度不大于80% ；美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)和我國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定半導(dǎo)體器件的儲(chǔ)存環(huán)境溫度范圍要寬一些。這些標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的儲(chǔ)存環(huán)境都是不允許超過的范圍，并非元器件儲(chǔ)存的佳環(huán)境。根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB4798.1《電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境:儲(chǔ)存》，對(duì)于某些存放精密儀器儀表、元器件的倉(cāng)庫(kù)環(huán)境條件的級(jí)別定為級(jí)別，其主要的氣候環(huán)境條件為:溫度:20℃～25℃；相對(duì)濕度:20%～70%；氣壓:70kPa～106kPa。這三項(xiàng)儲(chǔ)存的氣候環(huán)境條件中，對(duì)元器件儲(chǔ)存可靠性影響較大的是溫度和相對(duì)濕度，氣壓影響的程度相對(duì)較小。儲(chǔ)存環(huán)境除了氣候環(huán)境對(duì)元器件的有效儲(chǔ)存期有影響外，GB4798.1中還規(guī)定了其他環(huán)境(如特殊氣候環(huán)境(輻射等)、生物環(huán)境(霉菌、白蟻等)、化學(xué)活性物質(zhì)(有害氣體等)、機(jī)械活性物質(zhì)(砂、塵等))。
    此外，振動(dòng)、沖擊等機(jī)械環(huán)境對(duì)元器件儲(chǔ)存可靠性和儲(chǔ)存期的長(zhǎng)短也有很大影響。GJB/Z123《宇航用電子元器件有效儲(chǔ)存期及超期復(fù)驗(yàn)指南》中均規(guī)定了元器件的儲(chǔ)存環(huán)境條件:元器件必須儲(chǔ)存在清潔、通風(fēng)、無腐蝕氣體并有溫度和相對(duì)濕度指示儀器的場(chǎng)所。
    對(duì)于某些特殊元器件的儲(chǔ)存應(yīng)滿足以下特殊的要求：
    1、對(duì)靜電放電敏感的元器件(如MOS器件、微波器件等)，應(yīng)采取靜電放電防護(hù)措施。
    2、對(duì)磁場(chǎng)敏感但本身無磁屏蔽的元件，應(yīng)存放在具有磁屏蔽作用的容器內(nèi)。
    3、非密封片式元器件應(yīng)存放在充惰性氣體密封的密封容器內(nèi)，或存放在采取有效去濕措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內(nèi)。
    4、微電機(jī)等機(jī)電元件的油封及單元包裝應(yīng)保持完整。
    元器件儲(chǔ)存失效機(jī)理
    影響元器件儲(chǔ)存可靠性和儲(chǔ)存期長(zhǎng)短的主要因素是元器件本身包含的各種缺陷，凡系統(tǒng)中含有存在缺陷的元器件都不能滿足系統(tǒng)長(zhǎng)期儲(chǔ)存的要求，無缺陷或缺陷少的元器件就能滿足系統(tǒng)十幾年甚至是20年的長(zhǎng)期儲(chǔ)存要求。美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(SNL)收集了美國(guó)國(guó)防部的部分高可靠微電子器件(如MOSLSI、雙極型SSI)在非工作狀態(tài)下的大量?jī)?chǔ)存數(shù)據(jù)，儲(chǔ)存期為8年-10年，甚至20年以上。數(shù)據(jù)分析表明，非工作狀態(tài)下元器件的儲(chǔ)存失效并非單純地呈指數(shù)分布規(guī)律，其失效在較大程度上由設(shè)計(jì)、制造和生產(chǎn)過程的質(zhì)量監(jiān)控失誤造成的缺陷所引起。
    對(duì)長(zhǎng)期庫(kù)房?jī)?chǔ)存試驗(yàn)和延壽試驗(yàn)的失效樣品分析表明，失效的主要原因是由于器件內(nèi)部水汽影響，其次是芯片、引線脫落。元器件儲(chǔ)存失效包括內(nèi)部結(jié)構(gòu)失效和與封裝、鍵合有關(guān)的外部結(jié)構(gòu)失效，而外部結(jié)構(gòu)失效在儲(chǔ)存失效中占主要部分，包括封裝漏氣失效、引線焊接失效、外引線腐蝕斷裂等，是由于元器件在儲(chǔ)存溫度、濕度等環(huán)境應(yīng)力的作用下潛在的外殼、封裝工藝缺陷而導(dǎo)致失效。