一、試驗目的

電子元器件的失效很多是由于環(huán)境溫度造成體內和表面的各種物理、化學變化所引起的。溫度升高后，使得化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使有缺陷的元器件能及時暴露。 

通過高低溫試驗箱模擬環(huán)境溫度變化提高元器件環(huán)境溫度適應能力，加速元器件中可能發(fā)生或存在的任何化學反應過程（如由水汽或其他離子所引起的腐蝕作用，表面漏電、沾污以及金-鋁之間金屬化合物的生成等），使具有潛在缺陷的元器件提前失效而剔除。 

高溫貯存試驗對于表面沾污、引線鍵合不良和氧化層缺陷等都有很好的篩選作用。 

二、試驗原理

高溫貯存是在試驗箱內模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（不加電應力），使得元器件體內和表面的各種物理、化學變化的化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使有缺陷的元器件能盡早暴露。 

高溫貯存篩選的特點：

① 的優(yōu)點是操作簡便易行，可以大批量進行，投資少，其篩選效果也不差，因而是目前比較普遍采用的篩選試驗項目。

② 通過高溫貯存還可以使元器件的性能參數(shù)穩(wěn)定下來，減少使用中的參數(shù)漂移，故在GJB548中也把高溫貯存試驗稱為穩(wěn)定性烘焙試驗。

③ 對于工藝和設計水平較高的成熟器件，由于器件本身已很穩(wěn)定，所以做高溫存貯篩選效果很差，篩選率幾乎為零。

三、試驗設備

高低溫試驗箱，適用產品零部件及材料在高溫、低溫（交變）循環(huán)變化的情況下，檢驗其可靠性各項性能指標的儀器設備。高溫時可測試產品零件、材料可能發(fā)生軟化、效能降低、特性改變、潛在破壞、氧化等現(xiàn)象。 

四、暴露的缺陷

元器件的電穩(wěn)定性、金屬化、硅腐蝕和引線鍵合缺陷等。 

五、注意事項 

1.溫度-時間應力的確定。 

在不損害半導體器件的情況下篩選溫度越高越好，因此應盡可能提高貯存溫度。貯存溫度需根據(jù)管殼結構、材料性質、組裝和密封工藝而定，同時還應特別注意溫度和時間的合理確定。 

有一種誤解認為溫度越高、時間越長篩選考驗就越嚴格，這是錯誤的。例如：如果貯存溫度過高、時間過長則使器件加速退化以及對器件的封裝有破壞性，還有可能造成引線鍍層微裂及引線氧化，使得可焊接性變差。 

確定溫度、時間對應關系的原則是：保持對元器件施加的應力強度不能變，即如果提高了貯存溫度，則應減少貯存時間。 

對于半導體器件來說，貯存溫度除了受到金屬與半導體材料共熔點溫度的限制以外，還受到器件封裝所用的鍵合絲材料、外殼漆層及標志耐熱溫度和引線氧化溫度的限制。因此，金-鋁鍵合的器件貯存溫度可選用150 ℃，鋁-鋁鍵合可選用200 ℃，金-金鍵合器件可選用300 ℃。對電容器來說，貯存溫度除了受到介質耐熱溫度限制外，還受到外殼漆層和標志耐熱溫度以及引線氧化溫度的限制，某些電容器還受到外殼浸漬材料的限制，因此，電容器的貯存溫度一般都取它的正極限溫度。

2.高溫貯存多數(shù)在封裝后進行，半導體器件也有在封裝前的圓片階段或鍵合后進行，或封裝前后都進行。 

3.高溫貯存試驗結束后，如須對元器件進行測試對比，國軍標中規(guī)定必須在96 小時內測試完畢。