熱門關(guān)鍵詞: 高低溫試驗箱 恒溫恒濕試驗箱 步入式恒溫恒濕實驗室 高壓加速老化試驗箱 冷熱沖擊試驗箱
圖(1)所示的統(tǒng)計學(xué)上的浴盆曲線(Bathtub Curve)很清晰地描述了生產(chǎn)廠商對產(chǎn)品可靠性的控制,也同步描述了客戶對可靠性的需求。
上圖所示的早夭區(qū)是指短時間內(nèi)就會被損壞的產(chǎn)品,也是生產(chǎn)廠商需要淘汰的,客戶所不能接受的產(chǎn)品;正常使用壽命區(qū)代表客戶可以接受的產(chǎn)品;耐用區(qū)指性能特別好,特別耐用的產(chǎn)品。由圖上的浴缸曲線可見,在早天區(qū)和耐用區(qū),產(chǎn)品的不良率一般比較高。在正常使用區(qū),才有比較穩(wěn)定的良率。大部分產(chǎn)品都是在正常使用區(qū)的??煽啃詼y試就是為了分辨產(chǎn)品是否屬于正常使用區(qū)的測試,解決皁期開發(fā)中產(chǎn)品不穩(wěn)定,良率低等問題,提高技術(shù),使封裝生產(chǎn)線達到高良率,穩(wěn)定運行的自的。
一般封裝廠的可靠性測試項目有6項,如表1所示
各個測試項都有一定的目的,針對性和具體方法,但就測試項目而言,基本上都與溫度,濕度,壓強等環(huán)境參數(shù)有關(guān),偶爾還會加上偏壓等以制造惡劣破壞環(huán)境來達到測試產(chǎn)品可靠性的自的。
6種測試項目是有先后順序的,如圖(2)所示。Preconditioning Test是首先要進行的測試項目,之后進行其他5項的測試。之所以有這種先后順序,是由PRECON TEST的目的決定的,在以下的章節(jié)中,我們分別講述各種測試的具體內(nèi)容,目的。鑒于PRECON TEST特殊性,將放在后介紹。
3、T/C測試(溫度循環(huán)測試)
溫度循環(huán)試驗箱如圖3所示,由一個熱氣腔,一個冷氣腔組成,腔內(nèi)分別填充著熱冷空氣(熱冷空氣的溫度各個封裝廠有自己的標(biāo)準(zhǔn),相對溫差越大,通過測試的產(chǎn)品的某特性可靠性越高)。兩腔之間有個閥門,是待測品往返兩腔的通道。
在封裝芯片做T/C測試的時候,有4個參數(shù),分別為熱腔溫度,冷腔溫度,循環(huán)次數(shù),芯片單次單腔停留時間。
如表2所示的參數(shù)就代表T/C測試時把封裝后的芯片放在150℃的溫度循環(huán)試驗箱15分鐘,再通過閥門放入-65℃的低溫箱15分鐘,再放入高溫箱,如此反復(fù)1000次。之后測試電路性能以檢測是否通過T/C可靠性測試。
在封裝體中,有許多種材料,材料之間都有相應(yīng)的結(jié)合面,在封裝體所處環(huán)境的溫度有所變化時,封裝體內(nèi)各種材料就會有熱脹冷縮效應(yīng),而且材料熱膨脹系數(shù)不同,其熱脹冷縮的程度就有所不同,這樣原來緊密結(jié)合的材料結(jié)合面就會出現(xiàn)問題。圖示4是以Lead frame封裝為例,熱脹冷縮是的具體情況:其中主要的材料包括lead frame的Cu材料,芯片的硅材料,連接用的金線材料,還有芯片粘接的膠體材料。其中EMC與硅芯片,Lead frame有大面積基礎(chǔ),比較容易脫層,硅芯片與粘合的硅膠,硅膠和leadframe之間也會在T/C測試中失效。
再由圖5來看一下T/C測試中的幾個失效模型。
4、T/S測試(冷熱沖擊測試)
T/S測試和T/C測試有點類似,不同的是T/S測試環(huán)境是在高溫液體中轉(zhuǎn)換,液體的導(dǎo)熱比空氣快,于是有較強的熱沖擊力。
例如表3所示的參數(shù),就代表在2個隔離的區(qū)域分別放入150℃的液體和-65℃的液體,然后把封裝產(chǎn)品放入一個區(qū),5分鐘后再裝入另一個區(qū),由于溫差大,傳熱環(huán)境好,封裝體就受到很強的熱沖擊,如此往復(fù)1000次,來測試產(chǎn)品的抗熱沖擊性,終也是通過測試電路的通斷情況斷定產(chǎn)品是否TS可靠性測試。
5、HTS測試
HTS測試是把封裝產(chǎn)品長時間放置在高溫氮氣烤箱中,然后測試它的電路通斷情況。
如表4參數(shù)表示封裝放置在150℃高溫氮氣烤箱中1000小時(圖7中)。
例如圖8所示的kirkendall孔洞產(chǎn)生就是因為物質(zhì)可擴散作用造成的。
TH (Temperature & Humidity)測試,是測試封裝在高溫潮濕環(huán)境下的耐久性的實驗
如圖9所示,TH測試是在一個能保持恒定溫度和適度的恒溫恒濕試驗箱中進行的,一般測試參數(shù)如表5
7、PCT測試
PCT (Pressure Cooker Test),是對封裝體抵抗抗潮濕環(huán)境能力的測試。PCT測試與TH測試類似,只是增加了壓強環(huán)境以縮短測試時間,通常做PCT測試的工具我們叫“高壓鍋、高壓加速老化試驗箱”。
PCT測試的參數(shù)如表6所示:
在PCT測試后,也同樣是測試產(chǎn)品的電路通斷性能。在Leadframe封裝中,Leadframe材料和EMC材料結(jié)合處很容易水分滲入,這樣就容易腐蝕內(nèi)部的電路,腐蝕鋁而破壞產(chǎn)品功能。這種情況,一般建議用UV光來照射產(chǎn)品檢測Leadframe材料和EMC材料結(jié)合情況。
Precon測試模擬的過程如下圖所示:
產(chǎn)品完成封裝后需要包裝好,運輸?shù)浇M裝廠,然后拆開包裝把封裝后芯片組裝在下一級板子上,并且組裝還要經(jīng)過焊錫的過程,整個過程既有類似TC的經(jīng)過,也有類似TH的過程,焊錫過程也需要模擬測試。
模擬吸濕過程的6個等級如表7所示,1的等級,依次下降,看需要選擇等級。
在Precon測試中,會出現(xiàn)的問題有:爆米花效應(yīng),脫層,電路失效等問題。這些問題都是因為封裝體會在吸濕后再遭遇高溫而造成的,高溫時,封裝體內(nèi)的水分變?yōu)闅怏w從而體積急劇膨脹,造成對封裝體的破壞。我們應(yīng)該減弱EMC的吸濕性解決爆米花效應(yīng),減少封裝的熱膨脹系數(shù),增強附著能力來脫層問題,防止電路失效發(fā)生。
本文標(biāo)簽: 電子封裝可靠性測試 溫度循環(huán)試驗箱 恒溫恒濕試驗箱
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